碳化硅捞碳技术

世纪金光凭借"公斤级高纯碳化硅粉的制备方法",喜获"中国好"提名奖。 据悉,此次"交通银行杯中国好"的专家团,由中国工程院倪光南院士为科学家,汇聚...马可波罗网(makepolo)提供技术配方)生产碳化硅工艺配方含原料配比),产品详情:所在地:本溪市、服务内容:,技术,配方,工艺,资料,文献,更多产

本发明技术资料属于碳化硅晶体生长技术领域,具体涉及一种生长碳化硅晶体的装置,包括坩埚盖和坩埚,坩埚盖下部设有籽晶托,籽晶托上粘有籽晶,坩埚壁...人民网济南12月15日电12月13日上午,山东省人民政府新闻办公室召开新闻发布会,公布山东省首批15项关键核心技术知识产权。中国宽禁带功率半导体产业联盟

五耐集团发明包括微孔刚玉砖、碳复合砖、微孔模压炭块、微孔铝碳砖、铁水预处理用铝碳化硅碳砖、耐酸砖、低蠕变系列耐材等10项,为国内炼铁系统耐材龙头企业...本技术资料提供一种在采用热CVD法进行的SiC薄膜的外延生长中能够提高掺杂密度的面内均匀性、并且使SiC薄膜以均匀的膜厚生长的方法。所述方法为碳

而基本半导体的碳化硅二极管即是采用了Asron开发的3DSIC®技术,该技术可以令二极管器件在拥有碳化硅材料优势的同时,降低30%功耗并提高电流密度和可...5小时,烧结得到碳化硅加碳复相陶瓷密封材料。 [0006] 如中国发明申请(申请[0010] 为了解决上述碳化硼碳化硅陶瓷制备中存在的技术问题,本发明的个目的

本发明涉及碳化硅冶炼,特别涉及一种。背景技术工业用碳化硅于1891年研制成功,是早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可...nbspSEMICONDUCTOR)创始人、总经理、技术总监黄兴在本次路演中介绍,公司已布局核心14项,其中已授权3项,另掌握碳化硅与氮化镓的全套工艺菜单等重要

名称 一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法 在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50%然后将...该区域内的碳颗粒本身非常蓬松,密度较小,很容易被此提供了一种高质量碳化硅晶体生长的方法和装置,

碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物...该技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得权人授权。该全部3)在碳陶刹车盘胚体表面通过CVI工艺沉积一层纯碳化硅(终表面

3.名称:一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 申请号:201710781888.0 发明人:张安平田凯祁金伟杨明超陈家玉旭辉...名称:碳碳化硅坩埚及其制作工艺的制作方法 技术领域:本发明涉及一种单晶炉用碳和碳化硅复合坩埚及其制作工艺。 背景技术:目前,单晶炉用坩埚基本由石墨制造,沿轴

半导体所有效 序号 申请号 发明名称 发明人 所9 ZL.200610011228.6 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体52 ZL.201010141024.0 采用金属源化学...本发明具体涉及一种带有碳化硅摩擦功能层C/C‑SiC通风刹车盘的制备工艺。该工艺不仅步骤简单、适用于大批量生产,同时在刹车盘摩擦功能层内部是由气相

34、可加工羟基磷灰石+钛硅碳生物陶瓷复合材料的制备每项技术资料均为国家正式全文说明书。含0427·碳化硅陶瓷技术 碳化硅陶瓷生...( 19 )中华人民 共和国国家知识产权局 ( 12 )发明申请 (21)申请号 所述制备方法包括将碳化硅浆料均匀喷涂或涂 布在碳纤维毡和碳纤维布表面,然

公告显示,经与中国科学院物理研究所协商,天科合达拟现金出资购买中国科学院物理研究所独有以及与公司共有的碳化硅相关,该部分无形资产评估价值102...碳化硅,碳砖及其制造方法47CN2一种碳化硅匣钵砖生产工艺48CN2一种黑和绿碳化硅"硅砖硅质耐火砖制备加工生产工艺流程方法/配方技术资料集"详细介绍,包括

据碳化硅陶瓷膜团队教授、湖北省环境材料与膜技术工程技术研究主任徐慢介绍,2017年2月,以团队研发的8项碳化硅陶瓷膜技术及,作价2128万元技术...类型 发明 权利人 中国科学院金属研究所 中文摘要 本发明涉及耐超高温陶瓷及其制备技术,特别提供了一种锆铝硅碳碳化硅复合材料,以及原位反应热压制备锆

中国文献CN103630708A公开了一种本发明涉及一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法,该方法用原子力显微镜测试化学抛光后的碳化硅晶片表面,根据表面的粗糙度数值确定碳硅面...中国运载火箭技术研究院航天材料及工艺研究所研发的"一种碳化硅/碳化硅复合材料构件的制备方法"获国家发明。 采用化学气相渗透法、浆料浸渍热

天科合达的该项提出的改进物理物理气相传输法工艺所生成的碳化硅芯片质量远远高于传统方式生成的芯片...本技术资料提供了一种公斤级高纯碳化硅粉的制备方法,步骤为,(1)将石墨坩埚镀碳膜(2)将镀过碳膜的石墨坩埚镀碳化硅(3)将混合均匀后的硅粉、

C/SiC复合材料 分析 技术领域 分布 研发机构 【摘要】:针对碳纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料(C/Si C复合材料),检索了相关文献和,分析了...技术领域本发明涉及一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法,属于碳化硅晶片制造领域。背景技术SiC作为第三代宽带隙(Wide Bandgap Semiconductor,WBS)半导体材料的代表,其具有

聚碳硅烷是碳化硅陶瓷的先驱体聚合物,是制备碳化硅陶瓷基复合材料及其他碳化硅材料的关键原材料,主要用于耐高温、抗氧化的使用环境。上世纪80年代国防科技大学开始进行...一种碳/碳碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法,其特征包括下述步骤: (a)用碳纤维编制预制体,

菏泽碳化硅窑具_优质推荐邹平奥翔硅碳供应,价格从优,期待与您合作。 名称:碳化硅窑具及其制备工艺的制作方法技术领域:本发明涉及一种用于陶瓷炉窑...【摘要】本发明属于碳化硅检测领域,尤其涉及一种检测碳化硅中碳化硅含量的方法。通过分析碳化硅中所含的结合碳来计算出碳化硅的含量,同时引入高频红外碳硫仪来方便